IRFP260

Tranzistor MOSFET IRFP260 N-Channel 200V 50A TO-247

IRFP260 este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, utilizat pe scară largă în surse de alimentare în comutație, invertoare, convertoare DC-DC, amplificatoare de putere, controlere pentru motoare și alte aplicații electronice care necesită comutarea unor curenți și puteri ridicate.

Dispozitivul este realizat cu tehnologie HEXFET și oferă o combinație echilibrată între rezistența redusă în stare de conducție, capacitatea mare de curent și viteza ridicată de comutație. Capsula TO-247 permite montarea pe radiator pentru disiparea eficientă a căldurii în aplicațiile de putere.

IRFP260 este utilizat frecvent în echipamente industriale, surse în comutație, sisteme UPS, aparate de sudură, convertoare de frecvență și proiecte electronice de mare putere.

Functii

• Comutare sarcini de putere în circuite electronice.

• Control motoare și convertoare de putere.

• Utilizare în surse de alimentare în comutație (SMPS).

• Utilizare în invertoare și convertoare DC-DC.

• Amplificatoare și etaje finale de putere.

Specificatii tehnice

• Model: IRFP260.

• Tip componentă: tranzistor MOSFET de putere.

• Canal: N-Channel.

• Tehnologie: HEXFET Power MOSFET.

• Capsulă: TO-247AC.

• Tensiune maximă drenă-sursă (VDS): 200 V.

• Tensiune maximă poartă-sursă (VGS): ±20 V.

• Curent maxim drenă (ID) la 25°C: 50 A.

• Curent pulsatoriu drenă (IDM): 200 A.

• Putere maximă disipată (PD): 300 W.

• Rezistență drenă-sursă în conducție RDS(on): maximum 0,055 Ω.

• Tensiune prag poartă (VGS(th)): 2 V – 4 V.

• Sarcină totală poartă (Qg): aproximativ 180 nC.

• Timp de creștere (Rise Time): aproximativ 100 ns.

• Timp de coborâre (Fall Time): aproximativ 74 ns.

• Capacitate de intrare (Ciss): aproximativ 5600 pF.

• Temperatura de funcționare a joncțiunii: -55°C ... +175°C.

• Rezistență termică joncțiune-capsulă: aproximativ 0,50 °C/W.

• Montare: prin inserție (Through-Hole).

• Material capsulă: plastic epoxidic cu talpă metalică.

• Conținut pachet: 1 x tranzistor MOSFET IRFP260.